产品介绍
铟溅射靶材是一种以高纯度金属铟为原料制备的功能靶材,铟靶材外观呈银灰色,具有良好的金属光泽。铟靶材的物理参数包括:熔点为156.61℃,沸点为2060℃,密度为7.3 g/cm³。铟靶材的核心原料铟属典型的软质金属,机械强度低,易被指甲划伤,铟靶材具备良好的可塑性和延展性,便于加工成各种形状的靶材。
铟靶材在真空薄膜技术中具有重要应用价值,尤其适用于电子器件、光伏组件、触控面板等领域的薄膜制备。铟靶材一大特性是对玻璃及类似基底具有良好的附着力,在蒸发或磁控溅射过程中,铟靶材可形成均匀、致密的导电膜或功能膜层。纯铟常用于半导体工艺中的金属化过程,铟靶材是制造透明导电膜、电极连接层等关键结构的重要材料之一。
铟靶材的优异特性
高纯度
可提供99.99%、99.999%(4N、5N)级别的铟靶材,高纯度铟靶材确保膜层纯净、均匀,满足高端镀膜工艺的严苛要求,彰显铟靶材的核心品质优势。
优异延展性
铟靶材柔软,易加工,铟靶材适用于异形靶、多种尺寸的镀膜设备,提升铟靶材的适配性,满足不同场景个性化镀膜需求。
低熔点特性
铟靶材具备低熔点特性,适用于对温度敏感的基材,铟靶材常用于低温沉积工艺,凸显铟靶材的工艺优势,适配特殊基材镀膜需求。
优良的导电性
铟靶材具备优良的导电性,有助于提升铟靶材制备薄膜的导电性能,铟靶材特别适用于透明导电膜制备,体现铟靶材的电学优势。
铟靶材的广泛应用
半导体制造
铟靶材制备的铟薄膜可作为高端半导体封装的钎焊层,凭借铟靶材低熔点(156.6℃)特性,实现低温钎焊,避免高温对芯片性能的损伤,铟靶材提升封装的密封性和导热性,成为半导体高端封装不可或缺的关键材料。
光伏行业
针对柔性薄膜光伏面板(如柔性 CIGS 电池),铟靶材可与锌、锡等靶材搭配,制备铟基复合透明导电薄膜。该薄膜兼具高透光率(>85%)和优异柔韧性,适配柔性光伏组件的轻量化、可弯曲需求,助力光伏产业柔性化升级。
显示面板
柔性 OLED 面板对水汽和氧气极为敏感,铟靶材沉积的铟薄膜具有优异的延展性和密封性,铟靶材可作为柔性 OLED 的阻隔层,有效阻挡外界水汽和氧气侵入,将器件的使用寿命延长 3-5 倍,适配高端柔性显示领域需求。
- 光学器件铟靶材制备的铟薄膜具有优异的红外反射特性和红外透过调节能力,是红外光学器件镀膜的理想材料。通过铟靶材溅射沉积,可制备红外探测器、激光测距仪、热成像仪等设备的红外反射膜、增透膜和滤光膜。这些薄膜能提升光学器件对特定波段红外光的响应效率,优化成像质量和探测精度,铟靶材广泛应用于军事侦察、安防监控、医疗影像等高端红外光学领域。
技术特性

纯度
99.99%-99.999%

密度
7.3 g/cm³
应用场景
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